MOSFET rãnh được che chắn

Giới thiệu sản phẩm

Các sản phẩm MOSFET có cấu trúc rãnh được che chắn sở hữu khả năng cân bằng điện tíchĐăng Nhập New888, giúp cải thiện toàn diện đặc tính chuyển mạch và dẫn điện của linh kiện, đồng thời làm giảm đáng kể điện trở dẫn đặc trưng và điện tích cổng.

Công nghệ rãnh sâu được che chắn đã nâng cao đáng kể đặc tính nhiệt độ của điện trở dẫnĐăng Nhập New888, kiểm soát hiệu quả mức độ tăng điện trở dẫn khi nhiệt độ tăng lên, từ đó nâng cao rõ rệt khả năng dẫn dòng và tính chống xung trong điều kiện nhiệt độ cao, phù hợp hơn với các ứng dụng trong môi trường nắng nóng khắc nghiệt.

Kết hợp với công nghệ đóng gói tiên tiếnlich dau ngoai hang anh 2025, công nghệ rãnh được che chắn hướng đến việc nâng cao hiệu suất hệ thống và mật độ công suất của MOSFET trong quá trình chuyển đổi điện năng, đồng thời đảm bảo khả năng chịu xung trong quá trình chuyển mạch trong điều kiện khắc nghiệt, mang lại quản lý nguồn điện và điều khiển động cơ nhanh chóng, ổn định và hiệu quả.

Đặc điểm và lợi ích

Đặc điểm và lợi ích
Điện trở dẫn cực thấp
FOM cực thấp
Khả năng dòng điện mạnh hơn ở nhiệt độ cao
Đặc tính điốt cơ bản phục hồi nhanh và mềm
Crss/Ciss thấpĐăng Nhập New888, tăng khả năng chống EMI
Khả năng chịu UIS caolich dau ngoai hang anh 2025, 100

Lĩnh vực ứng dụng

Lĩnh vực ứng dụng
Bộ chỉnh lưu đồng bộ nguồn AC/DC
Điều khiển động cơ một chiều
Mạch bảo vệ sạc pin
Bộ biến tần
Bộ chuyển đổi DC cách ly
Nguồn điện dự phòng

Danh sách sản phẩm